
Laser à impulsion longue de la série LS1200 de JINSP 50 ± 20 nm Largeur d'impulsion et fréquence de répétition de 1 kHz à 5 kHz pour des utilisations multiples
ContPerson : Phoebe Yu
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Quantité de commande min : | 1 | Prix : | Négociable |
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Détails d'emballage : | 1pc par boîte | Délai de livraison : | 80 à 90 jours ouvrables |
Conditions de paiement : | T/T | Capacité d'approvisionnement : | 20PCS / 80-90Jours ouvrables |
Lieu d'origine: | Chine | Nom de marque: | JINSP |
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Certification: | CE ISO9001 | Numéro de modèle: | Le montant de la garantie est calculé en fonction de l'évolution de la valeur de la garantie. |
Document: | Brochure du produit PDF |
Détail Infomation |
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Longueur d'onde: | 532nm | Taux de répétition: | 1kHz | 5kHz |
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Pulse Width: | 50 ± 20nm | Power Stability: | <1.5% |
Qualité du faisceau: | m2<1.5 | Divergence de poutre: | 0.2 ± 0,05 (mrad) |
Mettre en évidence: | 532nm Q Laser à commutation de nanosecondes,Laser à longue impulsion de 532 nm,Application scientifique Q Laser à nanosecondes commuté |
Description de produit
Attribut | Valeur |
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Longueur d'onde | 532nm |
Taux de répétition | 1kHz ~ 5kHz |
Largeur d'impulsion | 50 ± 20nm |
Stabilité de la puissance | <1.5% |
Qualité du faisceau | M2<1.5 |
Divergence du faisceau | 0.2±0.05(mrad) |
La série JINSP LS1200 représente une collection de lasers à semi-conducteurs pompés par diode qui se situent dans la gamme de puissance moyenne à élevée, spécialisés dans la génération d'une sortie continue et pulsée. Ces lasers sont équipés d'un système de refroidissement par eau et utilisent une architecture de dalle avec du grenat d'yttrium-aluminium dopé au néodyme (Nd: YAG) comme milieu actif. Conçue pour la polyvalence, la série JINSP LS1200 peut fonctionner indépendamment en tant que système laser complet ou servir de source de semence laser fondamentale qui peut être amplifiée davantage.
Code produit | LS1210 | LS1320 |
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Longueur d'onde (nm) | 532 | |
Taux de répétition (kHz) | 1 | 3 | 5 | 1 | 3 | 5 |
Puissance moyenne (W) | 10 | 30 | 37 | 40 | 120 | 150 |
Puissance de crête (MW) | 0.17 | 0.14 | 0.1 | 0.67 | 0.57 | 0.39 |
Énergie d'impulsion unique (mJ) | 10 | 10 | 7.4 | 40 | 40 | 30 |
Largeur d'impulsion (ns) | 50 ± 20 | |
Taille du faisceau en champ proche | ~5 (nm) | |
Divergence du faisceau | 0.2±0.05(mrad) | |
Qualité du faisceau M2< | 1.5 | 1.8 |
Largeur de raie | 40 (GHz) | |
Polarisation | Linéaire | |
Temps de préchauffage | ~10 (min) |
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